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世界新资讯:威迈斯IPO上市关注:高耐压的碳化硅将成为车企的新选择


(资料图)

业内周知,碳化硅材料具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高等性质,相比硅基IGBT,碳化硅元器件体积更小、频率更高、开关损耗更小,可以使电驱动系统在高压、高温下保持高速稳定运行(硅基IGBT只能在200℃以下的环境中工作)。

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